本季度三星打算停止生產B-die內存顆粒，這是一種在超頻能力上非常突出的內存零配件，DRAM模塊制造商通常使用三星的B-die 8 Gb內存芯片來組裝超頻能力最強的內存。

　　三星將繼續使用其10納米級工藝技術生產C-die和D-die 8 Gb內存芯片。通常官方會建議用其制造DDR4-3200和DDR4-3600，同樣適用于高端內存模塊，但并非所有DIMM制造商都將它們用于頂級產品，尤其是與B-die相比。同時，三星還列出了采用10納米級工藝技術制造的16 Gb A-die存儲器件，這些器件用于構建服務器和工作站所需的高容量32 GB UDIMM和其他存儲器模塊。

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